Physikalischer Vorgang bei dem Atome oder Molekühle aus Festkörpern durch Beschuss mit energiereichen Ionen herausgelöst werden und in die Gasphase übergehen.   gebräuchliche Verfahren sind:   IE = Ion Etching Inerte Ionen werden auf das Substrat hin beschleunigt Substrat mit Plasma in Berührung   IBE = Ion Beam Etching Inerte Ionen, die mit einer Ionenkanone auf das Substrat hin beschleunigt werden Substrat ausserhalb des Plasmas   RIE = Reaktive Ion Etching Ätzen mit reaktiven Ionen Substrat und Plasma in Berührung   RIBE = Reaktive Ion Beam Etching Ätzen mit reaktiven Ionen. Reaktive Ionen werden mit einer Ionenkanone auf das Substrat hin beschleunigt Substrat ausserhalb des Plasmas   PE = Plasma Etching Chemisches Ätzen mit freien Radikalen und geringer Unterstützung durch Ionen   BE = Barrel Etching Chemisches Ätzen erfolgt ausschliesslich mit freien Radikalen.